Intel собирается сделать революцию в картах памяти для карманных компьютеров

Компания Intel считает, что покупатели спят и видят карманные компьютеры с памятью объемом в 500 Мбайт (напомним, что нынешние наладонники обычно имеют от 2 до 64 Мбайт флэш-памяти). Вот эту мечту человечества Intel и собирается реализовать. Для этого нужна новая технология, которая позволит дешево упаковать сотни мегабайт в "карманный" объем. Помимо большого объема новая память должна обладать еще и высоким быстродействием и способностью интегрироваться с другими типами памяти. Кроме того, новая память должна быть долговременной (как на жестком диске), то есть при отключении питания вся информация должна сохраняться.
Сейчас Intel считает перспективными три технологии памяти: "пластиковую" (полимерное ферроэлектрическое ОЗУ - polymer ferroelectric RAM - PFRAM); Ovonics Unified Memory (OUM) - используются те же материалы, что и в записываемых CD-дисках; и магнитное ОЗУ (magnetic RAM - MRAM). Опять же напомним, что в нынешних карманных компьютерах используется в основном оперативная память типа DRAM и постоянная флэш-память.
Из упомянутых трех перспективных технологий самой перспективной, скорее всего, является OUM, благодаря ее относительной дешевизне и простоте интеграции с другими технологиями памяти. Модули памяти MRAM и PFRAM обладают более высокой производительностью, но зато они дороже, а, по мнению аналитиков, производители карманных компьютеров, заинтересуются только той технологией, которая будет дешевле нынешней флэш-памяти. И ею с большой вероятностью будет OUM.
Intel пока не говорит ни о каких конкретных сроках начала производства модулей OUM-памяти нового поколения, но, по мнению специалистов, это произойдет где-то в конце 2003 года. И через пару лет после начала массового производства OUM-память станет дешевле флэш-памяти.
Intel ведет сейчас разработки сразу в трех направлениях - MRAM, PFRAM и OUM, но какая технология станет победителем, пока неизвестно.

(по материалам CNET News.com)