Omar.ru  — лучшие цены в интернете  
Например: Кондиционеры, Телевизоры
Москва
Москва

Выбор региона

Если вы хотите посмотреть предложения магазинов из других регионов воспользуйтесь формой ниже.
Введите регион:
- -
Omar.ruГлавная » Обзоры » Обзор внешнего накопителя MirrorBit

Обзор внешнего накопителя MirrorBit

ПОТРЕБИТЕЛЬСКИЙ АНАЛИЗ
В мае этого года компания AMD анонсировала начало поставок образцов первых чипов флэш-памяти MirrorBit Flash. Технология MirrorBit основана на использовании мультибитовых ячеек флэш-памяти и отличается от стандартной flash тем, что позволяет сохранить два бита данных в одной физической ячейке. Помимо этого, такая «симметричная» ячейка позволяет производить независимые запись/считывание каждого отдельного бита. Иными словами, ячейка памяти AMD MirrorBit хранит данные в двух дискретных не зависящих друг от друга местах. С помощью тончайшей изолирующей прослойки из нитрида кремния однобитная ячейка делится на две симметричные (зеркальные) половины. Это позволяет уменьшить площадь полупроводниковой пластины, а, следовательно, упростить производство (почти на 30%), что радикально снизит себестоимость продукции. Тем более что для выпуска MirrorBit не придется менять размерную технологию. Чипы MirrorBit Flash разработаны в тесном сотрудничестве с партнером AMD — компанией Fujitsu и найдут применение в таких устройствах, как сотовые телефоны, карманные компьютеры, цифровые фото- и видеокамеры, автомобильное и коммуникационное оборудование, ТВ приставки и пр. Продукты семейства MirrorBit Flash рассчитаны как минимум на 100 тысяч циклов записи/стирания и хранение данных на протяжении 20 лет при температуре до 125 C. Чипы семейства MirrorBit имеют емкость 64 Мбит и изготовлены по технологии 0.18 микрон, напряжение питания 3,0 В. Еще одно их достоинство — более простое формирование «страничной конструкции» для чтения и записи 16-битных последовательностей в едином цикле, что повышает производительность обмена данными. Переход на выпуск флэш-памяти MirrorBit с применением 0,13 мкм технологии и переход на более низкое рабочее напряжение в 1,8 В запланирован на конец этого года. В планах компании повышение объема накопления флэш-памяти до 1 Гбита и более, а также перевод всего производства на технологию 0,09 микрон.
Источник: Потребитель
blog comments powered by Disqus