1 Гбит чипы NAND флэш-памяти от Toshiba с нормами 0,13 мкм техпроцесса

Сегодня Toshiba Corporation объявила о выпуске новых 1 Гбит чипов флэш-памяти типа NAND, разработанных совместно с компанией SanDisk.

Новые чипы будут выпускаются компанией Toshiba на производственных линиях с соблюдением норм 0,13 мкм техпроцесса. 1 Гб чипы NAND флэш-памяти доступны в двух вариантах: в корпусе TSOP (Thin Small Outline Package, версия TC58NVG0S3AFT ) и в корпусе LGA (Land Grid Array, версия TC58NVG0S3AXL).

Обе версии чипа имеют конфигурацию 128М х 8 бит, напряжение питания 2,7 – 3,6 В, размер страничной памяти составляет 2112 байт, размер блока – 128К + 4К. Время записи составляет около 200 мс, время стирания – около 2 мс на блок. Время выборки данных составляет менее 25 мкс при первом обращении и 50 нс при последовательной выборке. при этом скорость обмена данными достигает 10 Мб/с.

Образцы чипов TC58NVG0S3AFT уже доступны по цене около $66 за штуку, образцы чипов TC58NVG0S3AXL появятся в октябре. Массовое производство чипов намечено на конец 2002 года, объемы выпуска составят до 300 тыс. штук в месяц. Образцы 2 Гбит чипов памяти NAND, состоящих из двух 1 Гбит чипов, также появятся в октябре, массовое их производство с ежемесячным объемом до 30 тыс. штук намечено на конец года.